半導體材料主要指單品鍺、單晶硅、砷化鎵、銻化鎵等。它們是制作晶體二極管、晶體三級管、晶閘管、場效應管、穩壓管、整流管（硅堆、橋堆等）集成穩壓電路、模擬數字集成電路、集成運算放大器等各種元件器件的重要原材料，在生產制造過程中，電火花加工常與機械加工、超聲波加工、電化學加工等聯合使用，在最后精加工前采用電火花加工，取得較好的加工效果。
（1）半導體材料的特點
1）半導體材料脆，電阻率大（通常為0.01~1Ω*cm），導熱系統高。電阻率大和導熱性好，加大了放電回路中產生的熱量和熱損失，電壓低于一定值后，如果不經任何處理的半導體材料，由于導電性能不良，一般不能進行放電加工。
2）進行電火花加工時，單個脈沖能量不應過大，否則將產生熱脆性機械裂紋，一般應采用窄脈沖、小峰值電流加工，單脈沖能量不大于10-5J。
3）在普通水介質中加工，由于水熱裂分解成氧和氫，使半導體表面形成非晶體的氧化膜。在油介質中，由于分解出炭，表面被炭污染。加工中通常采用去離子水，電阻率保持在166Ω*cm 以上，并應不斷更新。
4）當利用電火線切割進行切斷加工時，發現Ni絲比Mo、Cu、W絲的加工效果好（RC線路的脈沖電源）。當采用晶體管脈沖電源時，紫銅電極對儲單晶加工時損耗很小，其他工藝指標也不錯。
（2）加工實例一
1）工件名稱 高壓硅堆管芯電火花線切割加工。
2）工件技術要求
a.工件材料 做好P-N結疊置在一起，每片單晶大片厚度在0.3mm左右，根據需要，疊厚分別為4~10mm。
b.技術要求：要求切割成1mm×1mm的方柱，做成疊片管芯，再經組裝處理即形成產品硅堆。
3）加工要點
a.硅片特性：硅片本身屬半導體材料，如果不如任何處理的硅片，由于導電性能不良，不能進行放電切割。
b.硅片處理：首先將硅片表面鍍鎳，再將鍍鎳的硅片按P-N結方向一片一片在溶化的鉛錫合金沾錫，之后疊置成整體沾錫，這樣做出的疊片層與層之間都有薄薄的一層鉛錫合金作為導電層，并且層層之間都有連接，這樣將硅片處理之后才能進行放電切割出所需要的形狀尺寸。
4）使用設備 使用DK7125電火花數控線切割機床，ET-MC三相大功率高頻脈沖電源，脈沖寬度20μs，加工電流2A。
5）加工效果
a.采用電火花線切割工藝，克服了由于機械切割所造成的崩角、斷裂現象，保護P-N結構面的平整，提高疊片的反向耐壓。
b.由于鉛錫的導電性良好，在各層硅片之間，晶片的P-N結上處于等電位狀態，因此不會擊穿P-N結，在瞬間放電過程中，加工電流是通過各層鉛錫導電層與鉬絲放電，產生的瞬時高溫足以熔化鉛錫層之間與鉬絲相處的硅片，這樣，實際導電的鉛錫層并沒有多厚，且放電又是分層進行的，因此有利于高頻電源能量的利用，所以切割一定厚度的硅片比切割相應厚度的金屬材料要快。
c.加工速度達60~70mm2/min；有待進一步研究、試驗、完善加工工藝。
（3）加工實例二
1）工件名稱 鍺單晶的電火花加工。
2）鍺單晶的特點
a.鍺單晶是金剛石型的六方晶格，材料既脆又硬（硬度>6）很難進行機械處理，目前僅限于棒料的高速切割和研磨。
b.鍺的熔點比較低，是958℃，電阻率是鋼的4×106倍，具有較高的熱傳導系統數，要求采用較窄的脈沖寬度，避免產生裂紋和迸裂，以獲得較高的加工速度。
3）技術要求
a.要求對鍺單晶棒料進行切斷加工（φ40mm棒料切成10mm厚的圓片）。
b.要求在10mm厚的圓片上加工φ40mm的圓孔。
4）使用設備 使用D7140電火花成形加工機床；配置JDS-100晶體管脈沖電源；工作液介質為電火花專用煤油；電極材料分別為0.5mm厚紫銅板和φ4mm空心紫銅管。
5）加工效果
a.電極損耗在1%以下。
b.表面粗糙Ra值<2.5μm。
c.加工速度達到30mm3/min。
d.進行型腔加工效果也很好。
